Il team di ricercatori di AMD raggiunge per primo importanti traguardi nello sviluppo dei transistor
Il team di ricercatori di AMD ha per primo raggiunto nel mercato dei semiconduttori importanti traguardi tecnologici, essenziali per lo sviluppo di transistor di nuova generazione.
Nel corso di un progetto di laboratorio che sarà presentato il giugno prossimo, i ricercatori AMD hanno creato e sperimentato un transistor ad alte prestazioni la cui velocità può superare anche del 30% quella dei migliori transistor P-MOS (P-channel Metal-Oxide Semiconductor) disponibili oggi sul mercato. Il nuovo transistor sfrutta tecnologie proprietarie AMD basate su Fully Depleted Silicon-on-Insulator.
Utilizzando con successo la tecnologia metal gates, i ricercatori AMD sono stati anche i primi a realizzare un transistor in tecnologia strained silicon capace di raggiungere prestazioni del 20%-25% superiori rispetto a quelle dei componenti strained silicon convenzionali.
Questi risultati rappresentano tappe essenziali lungo l’ambizioso percorso messo a punto da AMD, grazie al quale sarà possibile realizzare i microprocessori del futuro per rispondere alle esigenze della clientela.
“Rimanendo all’avanguardia nel campo della ricerca sui transistor capaci di funzionare con prestazioni superiori e minori dispersioni di corrente e voltaggi operativi, possiamo fornire ai team di progettisti AMD i componenti basilari con cui possono realizzare le soluzioni richieste dai clienti”, ha dichiarato Craig Sander, Vice President of Process Technology Development di AMD.
“Un buon design parte da strumenti e componenti di alto livello”, ha aggiunto Fred Weber, Vice President e Chief Technical Officer del Computational Products Group di AMD. “Ricerche avanzate come questa sono ciò che in ultima analisi permette ad AMD di fornire quelle prestazioni avanzate e quell’eleganza architetturale che il mercato è ormai abituato ad aspettarsi da noi”.
Queste ultime innovazioni tecnologiche potranno giocare un ruolo essenziale nella produzione di semiconduttori nella seconda metà del decennio attuale. AMD pubblicherà per la prima volta i risultati completi della ricerca in occasione del VLSI Symposium organizzato a Kyoto l’11 e il 12 giugno. Per ulteriori informazioni al riguardo è possibile consultare il sito Web VLSI all’indirizzo http://www.vlsisymposium.org.
