Parte la produzione delle DRAM da 512 Mb e delle OneNand

Parte la produzione delle DRAM da 512 Mb e delle OneNand

Samsung avvia la produzione di memorie DRAM da 512 Mb a 90 nanometri e delle OneNand destinate ai cellulari e dispositivi mobile di nuova generazione.

amsung ha annunciato l’avvio della produzione in larga scala di memorie DRAM (dynamic random access memory) da 512 Mb. Queste memorie, che utilizzano circuiti a 90 nanometri, saranno utilizzate nei cellulari e dispositivi mobile di prossima generazione che necessitano di performance elevate per la gestione della grafica, potendo raggiungere una velocita’ di trasmissione dati fino a 1,3 GB al secondo. L’inserimento di due moduli all’interno del dispositivo mobile potrebbe soddisfare anche gli utenti piu’ esigenti.

Avviata anche la produzione delle memorie OneNAND

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