Fairchild Semiconductor fornisce ai progettisti una sofisticata soluzione dual MOSFET che assicura superiori livelli di efficienza e densità di potenza all'interno di notebook, netbook, server, dispositivi di telecomunicazione e altri dispositivi DC-DC. Il dispositivo FDMC8200 integra un MOSFET N-Channel da 30V sincrono (low-side) e ottimizzato per il controllo (high-side) in un modulo MLP da 3mm x 3mm MLP, il tutto facendo ricorso alla sofisticata tecnologia di processo MOSFET Fairchild PowerTrench 7. Questa tecnologia assicura eccellenti livelli di bassa RDS(ON), Gate Charge (QG) complessiva e Miller Charge (QGD), che si traducono in superiori livelli di efficienza grazie alla riduzione al minimo delle perdite di conduzione e commutazione. Il dispositivo FDMC8200 presenta un valore RDS(ON) tipico di 24mOhm nel lato high-side e di 9,5mOhm nel lato low-side e fornisce oltre 9A di corrente per le tipiche applicazioni informatiche, mentre la disposizione dei pin e gli ingombri ottimizzati semplificano il layout progettuale e il percorso dei segnali facilitando la progettazione. Grazie alla tecnologia di packaging avanzata e alla tecnologia di processo proprietaria PowerTrench 7, il dispositivo FDMC8200 risponde perfettamente ai requisiti di progettazione, risparmio di spazio e caratteristiche termiche dei sistemi DC-DC. Compatto e termicamente efficiente, il package MLP Power33 da 3mm x 3mm MLP unitamente alla tecnologia PowerTrench 7 assicura eccellenti caratteristiche intrinseche di densità di potenza, efficienza energetica e performance termiche.
Questo dual MOSFET fa parte di un portafoglio completo di MOSFET che rispondono a un'ampia gamma di requisiti di tensione e incorporano una tecnologia di packaging allo stato dell'arte per assicurare la gestione efficiente dell'alimentazione e una bassa resistenza termica. Tra questi prodotti figurano i dispositivi FDMS9600S e FDMS9620S, moduli FET integrati che riducono significativamente lo spazio occupato su scheda e permettono di realizzare design buck sincroni caratterizzati da superiori livelli di efficienza di conversione.
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